สารบัญ
21 ความสัมพันธ์: ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์พ.ศ. 2450พ.ศ. 2468พ.ศ. 2477กฎของมัวร์กระแสไฟฟ้าการกล้ำสัญญาณการสร้างวงจรรวมขนาดใหญ่มากรอยต่อ p-nลอจิกเกตวงจรรวมสภาพพาสซีฟหลอดสุญญากาศอุปกรณ์ตัวขยายสัญญาณตัวต้านทานตัวเก็บประจุแหล่งจ่ายไฟโวลต์ไฟฟ้าไดโอด
- อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ
- อุปกรณ์ไฟฟ้า
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ (Electronic Component) เป็นอุปกรณ์พื้นฐานที่แยกออกเป็นชิ้นย่อยๆเป็นเอกเทศหรือเป็นอุปกรณ์ที่มีเอกลักษณ์ทางกายภาพในระบบอิเล็กทรอนิกส์ที่ใช้ในการส่งผลกระทบต่ออิเล็กตรอนหรือสาขาที่เกี่ยวข้องกับอิเล็กตรอน ตัวอย่างชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีมากกว่าสองขั้วไฟฟ้า(ขาหรือลีดส์) เมื่อนำขาของชิ้นส่วนหลายชนิดมาบัดกรีเข้าด้วยกันบนแผงวงจรพิมพ์จะสร้างเป็นวงจรอิเล็กทรอนิกส์ (วงจรย่อย) ที่มีฟังก์ชันที่เฉพาะเจาะจง (เช่นเครื่องขยายสัญญาณ, เครื่องรับสัญญาณวิทยุหรือ oscillator) ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์พื้นฐานอาจจะถูกเก็บในบรรจุภัณฑ์แยกชนิดกัน หรือจัดเรียงเป็นแถวหรือเครือข่ายของส่วนประกอบที่เหมือนกันหรือผสมกันภายในแพคเกจเช่นวงจรรวมเซมิคอนดักเตอร์, แผงวงจรไฟฟ้าไฮบริดหรืออุปกรณ์ฟิล์มหน.
ดู ทรานซิสเตอร์และชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
พ.ศ. 2450
ทธศักราช 2450 ตรงกับปีคริสต์ศักราช 1907 เป็นปีปกติสุรทินที่วันแรกเป็นวันอังคาร ตามปฏิทินเกรกอเรียน.
พ.ศ. 2468
ทธศักราช 2468 ตรงกับปีคริสต์ศักราช 1925 เป็นปีปกติสุรทินที่วันแรกเป็นวันพฤหัสบดี ตามปฏิทินเกรกอเรียน.
พ.ศ. 2477
ทธศักราช 2477 ตรงกับปีคริสต์ศักราช 1934ยวห.
กฎของมัวร์
ำนวนทรานซิสเตอร์เทียบกับช่วงเวลา แสดงถึงปริมาณที่เพิ่มขึ้นสองเท่าในทุกสองปี Osborne Executive คอมพิวเตอร์พกพาปี 1982 และ iPhone ที่ออกปี 2007 (ในรูปเป็น iPhone 3G) Osborne Executive หนักกว่า 100 เท่า ใหญ่กว่า 500 เท่า แพงกว่า 10 เท่า และช้ากว่า 100 เท่าของ iPhone กฎของมัวร์ (Moore's law) อธิบายถึง ปริมาณของทรานซิสเตอร์บนวงจรรวม โดยจะเพิ่มเป็นเท่าตัวประมาณทุก ๆ สองปี กฎนี้เบ้อได้ถูกพิสูจน์อย่างต่อเนื่องมาแล้วกว่าครึ่งศตวรรษ และคาดว่าจะใช้ได้จนถึงปี 2015 หรือ 2020 หรืออาจมากกว่านั้น ความสามารถของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์มากมาย เป็นไปตามกฎของมัวร์อย่างเห็นได้ชัด เช่น ความเร็วประมวลผล ความจุของแรม เซ็นเซอร์ หรือแม้แต่จำนวนพิกเซลของกล้องดิจิทัล ทั้งหมดนี้เป็นข้อมูลสนับสนุนอย่างคร่าว ๆ (ยังมีกฎอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องเช่นราคาต่อหน่วย) การพัฒนาของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ มีผลต่อการขยายตัวทางเศรษฐกิจโลกอย่างหลีกเลี่ยงไม่ได้ กฎของมัวร์ได้อธิบายแรงการขับเคลื่อนของเทคโนโลยี ตั้งแต่ปลายศตวรรษที่ 20 ไปจนถึงต้นศตวรรษที่ 21 ชื่อของกฎถูกตั้งตามชื่อของ อดีตซีอีโอและผู้ร่วมก่อตั้งบริษัทอินเทล กอร์ดอน มัวร์ (Gordon E.
กระแสไฟฟ้า
วงจรไฟฟ้าอย่างง่าย โดยที่กระแสถูกแสดงด้วยอักษร ''i'' ความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันไฟฟ้า (V), ตัวต้านทาน (R), และกระแส (I) คือ V.
การกล้ำสัญญาณ
การกล้ำสัญญาณ หรือ (Modulation) ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และ โทรคมนาคม การ(ควบ)กล้ำสัญญาณเป็นกระบวนการของการปรับเปลี่ยนลักษณะสมบัติอย่างใดอย่างหนึ่งหรือหลายๆอย่างของรูปสัญญาณคลื่นพาห์(สัญญาณที่เป็นตัวขนส่งความถี่สูง)ด้วยสัญญาณข้อมูลที่จะถูกส่งผ่าน เช่น กระแสบิตดิจิตอล(digital bit stream)หรือสัญญาณเสียงอนาล็อก การกล้ำสัญญาณรูปคลื่นไซน์จะแปลงสัญญาณข้อความ baseband เป็นสัญญาณ passband โมดูเลเตอร์เป็นอุปกรณ์กล้ำสัญญาณ, demodulator(บางครั้งเรียกว่า demod) เป็นอุปกรณ์ที่ทำงานตรงกันข้ามกับการกล้ำส้ญญาณ, โมเด็ม(จาก modulator-demodulator) สามารถทำงานได้ทั้งสองอย่าง จุดมุ่งหมายของการกล้ำสัญญาณดิจิตอลคือการโอนย้ายกระแสบิตดิจิตอลผ่านช่อง bandpass แอนะล็อก ตัวอย่างเช่นผ่านทางเครือข่ายโทรศัพท์ (PSTN) (ที่ซึ่งตัวกรอง bandpass จะจำกัดช่วงความถี่ไว้ที่ 300-3400 Hz ซึ่งเป็นความถี่เสียงที่มนุษย์ได้ยิน)เช่นบริการ ADSL หรือ ผ่านทางแถบความถี่วิทยุที่มีอยู่อย่างจำกัด จุดมุ่งหมายของการกล้ำสัญญาณอะนาล็อกคือการโอนย้ายสัญญาณแอนะล็อก baseband (หรือ lowpass) เช่นสัญญาณเสียงหรือสัญญาณทีวี ผ่านช่องทาง bandpass แบบอะนาล็อกที่ความถี่ที่แตกต่างกันเช่นในช่วงแถบความถี่วิทยุที่จำกัดหรือช่องทางเครือข่ายเคเบิลทีวี การกล้ำสัญญาณแอนะล็อกและดิจิตอลช่วยอำนวยความสะดวกในการมัลติเพล็กซ์แบบแบ่งความถี่(Frequency Division Multiplex) หรือ FDM ที่หลายๆสัญญาณข้อมูลความถี่ต่ำที่ผ่านการกรองมาแล้วจะถูกโอนพร้อมกันผ่านทางสื่อทางกายภาพเดียวกันที่ใช้ร่วมกัน โดยการใช้ช่อง passband แยกจากกัน (หลายความถี่คลื่นพาหะที่แตกต่างกัน) จุดมุ่งหมายของวิธีการกล้ำสัญญาณดิจิทัล baseband หรือที่เรียกว่า line coding ก็เพื่อที่จะถ่ายโอนกระแสบิตดิจิตอลผ่านช่องทางเบสแบนด์ โดยทั่วไปก็คือลวดทองแดงที่ไม่กรอง เช่นบัสแบบอนุกรมหรือสายแลน จุดมุ่งหมายของวิธีกล้ำสัญญาณกระตุก()ก็เพื่อที่จะถ่ายโอนสัญญาณอนาล็อกแบนด์แคบ เช่น สัญญาณเสียงพูดโทรศัพท์ ผ่านช่องสัญญาณ baseband แถบกว้าง หรือในบางรูปแบบส่งผ่านเหมือนเป็นกระแสบิตผ่านระบบการส่งผ่านดิจิตอลอื่น ในตัวสังเคราะห์เพลง, การกล้ำสัญญาณอาจถูกใช้ในการสังเคราะห์รูปคลื่นต่างๆ ด้วยคลื่น ความถี่เสียงกว้างโดยการใช้ oscillator จำนวนน้อย ในกรณีนี้ความถี่คลื่นพาหะโดยทั่วไปจะ อยู่ในลำดับเดียวกันหรือต่ำกว่าสัญญาณที่มากล้ำมากๆ ดูตัวอย่าง frequency modulation synthesis หรือ ring modulation synthesis.
ดู ทรานซิสเตอร์และการกล้ำสัญญาณ
การสร้างวงจรรวมขนาดใหญ่มาก
รูปแสดง die ที่ใช้สร้างวงจรรวมด้วยกระบวนการ VLSI การสร้างวงจรรวมขนาดใหญ่มาก (Very Large Scale Integration หรือ VLSI) เป็นกระบวนการในการสร้างวงจรรวม โดยการรวมทรานซิสเตอร์นับพันตัวให้อยู่ในชิปตัวเดียว VLSI เริ่มต้นในทศวรรษที่ 1970 เมื่อเทคโนโลยีของสารกึ่งตัวนำที่สลับซับซ้อน และเทคโนโลยีสื่อสารทั้งหลายกำลังถูกพัฒนา ไมโครโพรเซสเซอร์เป็นตัวอย่างหนึ่งของ VLSI.
ดู ทรานซิสเตอร์และการสร้างวงจรรวมขนาดใหญ่มาก
รอยต่อ p-n
รูปแสดงสัญญลักษณ์ของ PN diode รูปสามเหลี่ยมแทน p side เส้นขีดแนวตั้งแทน n side รอยต่อ p-n (p-n junction) คือ บริเวณขอบเขตแดนหรือรอยเชื่อมต่อระหว่างสารกึ่งตัวนำสองประเภท ได้แก่สารแบบ p-type และแบบ n-type ภายในผลึกกึ่งตัวนำเดี่ยว รอยต่อ p-n นี้จะถูกสร้างขึ้นโดยการโด๊ป ด้วยวิธีการเช่นการปลูกไอออน หรือด้วยแพร่กระจายของสารเจือปน หรือด้วยการ epitaxy (การปลูกผลึกหนึ่งชั้นที่ถูกโด๊ปด้วย สารเจือปนประเภทหนึ่งบนด้านบนของชั้นผลึกที่ถูกโด๊ปด้วยสารเจือปนอีกประเภทหนึ่ง) ถ้าวัสดุที่เป็นรอยต่อนี้ถูกทำเป็นสองชิ้นแยกจากกัน รอยต่อนี้จะเป็นขอบเขตระหว่างสารกึ่งตัวนำที่ ยับยั้งการไหลของกระแสอย่างรุนแรง โดยทำให้อิเล็กตรอนและโฮลในสารกึ่งตัวนำกระจัดกร.
ลอจิกเกต
ลอจิกเกต หรือ ประตูสัญญาณตรรกะ (logic gate) เป็นตัวดำเนินการทางตรรกศาสตร์ซึ่งรับข้อมูลเข้าอย่างน้อยหนึ่งตัว มาคำนวณและส่งข้อมูลออกหนึ่งตัว การทำงานของเกตนิยมเขียนอยู่ในรูปพีชคณิตแบบบูล เมื่อนำเกตต่าง ๆ มาประกอบเป็นวงจรจะได้วงจรตรรกะ (logic circuit) ซึ่งเป็นวงจรดิจิทัลประเภทหนึ่ง เกตนิยมสร้างโดยใช้ไดโอดและทรานซิสเตอร์ในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ แต่ก็สามารถสร้างโดยใช้วงจรรีเลย์, แสง หรือกลไกอื่น ๆ ได้ด้ว.
วงจรรวม
วงจรรวม วงจรรวม หรือ วงจรเบ็ดเสร็จ (integrated circuit; IC) หมายถึง วงจรที่นำเอาไดโอด, ทรานซิสเตอร์, ตัวต้านทาน, ตัวเก็บประจุ และองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ มาประกอบรวมกันบนแผ่นวงจรขนาดเล็ก ในปัจจุบันแผ่นวงจรนี้จะทำด้วยแผ่นซิลิคอน บางทีอาจเรียก ชิป (Chip) และสร้างองค์ประกอบวงจรต่าง ๆ ฝังอยู่บนแผ่นผลึกนี้ ส่วนใหญ่เป็นชนิดที่เรียกว่า Monolithic การสร้างองค์ประกอบวงจรบนผิวผลึกนี้ จะใช้กรรมวิธีทางด้านการถ่ายภาพอย่างละเอียด ผสมกับขบวนการทางเคมีทำให้ลายวงจรมีความละเอียดสูงมาก สามารถบรรจุองค์ประกอบวงจรได้จำนวนมาก ภายในไอซี จะมีส่วนของลอจิกมากมาย ในบรรดาวงจรเบ็ดเสร็จที่ซับซ้อนสูง เช่น ไมโครโปรเซสเซอร์ ซึ่งใช้ทำงานควบคุม คอมพิวเตอร์ จนถึงโทรศัพท์มือถือ แม้กระทั่งเตาอบไมโครเวฟแบบดิจิทัล สำหรับชิปหน่วยความจำ (RAM) เป็นอีกประเภทหนึ่งของวงจรเบ็ดเสร็จ ที่มีความสำคัญมากในยุคปัจจุบัน.
สภาพพาสซีฟ
ซีฟ (passivity) เป็นคุณสมบัติของระบบวิศวกรรมที่ถูกนำมาใช้ในสาขาวิชาวิศวกรรมอย่างหลากหลาย แต่มักพบมากที่สุดในระบบอิเล็กทรอนิกส์และการควบคุมแบบแอนะล็อก ชิ้นส่วนที่เป็นพาสซีฟจะขึ้นอยู่กับสนามไฟฟ้า และอาจจะเป็นอย่างใดอย่างหนึ่งคือ 1.
หลอดสุญญากาศ
อดหลอดสุญญากาศ ไตรโอดหลอดสุญญากาศ ไตรโอดชนิด808หลอดสุญญากาศ เครื่องเสียงหลอดสุญญากาศ mixtubeหลอดสุญญากาศ หลอดสุญญากาศ (vacuum tube) หรือ หลอดอิเล็กตรอน (electron tube: ในอเมริกา) หรือ วาล์วเทอร์มิออนิค (thermionic valve: ในอังกฤษ) ในทางอิเล็กทรอนิกส หมายถึงอุปกรณ์ที่ควบคุมกระแสไฟฟ้าผ่านขั้วอิเล็กโทรดภายในบริเวณที่มีอากาศหรือก๊าซเบาบาง ปรากฏการณ์ ทางฟิสิกส์ที่ใช้อธิบายการนำไฟฟ้าก็คือ ปรากฏการณ์เทอร์มิออนิค อิมิตชัน (thermionic emission) ซึ่งอธิบายว่าเมื่อโลหะถูกทำให้ร้อนจนถึงระดับหนึ่งด้วยการป้อนกระแสไฟฟ้าจะทำให้อิเล็กตรอนหลุดออกมาที่ผิวของโลหะ เมื่อทำการป้อนศักย์ไฟฟ้าเพื่อดึงดูดอิเล็กตรอนที่หลุดออกมาอยู่ที่ผิวด้วยขั้วโลหะอีกขั้วหนึ่งที่อยู่ข้างๆ จะทำให้เกิดการไหลของกระแสได้ เราเรียกหลอดสุญญากาศที่มีขั้วโลหะเพียงสองขั้วนี้ว่า หลอดไดโอด (Diode) โดยขั้วที่ให้อิเล็กตรอนเรียกว่า คาโธด (Cathode) และขั้วที่รับอิเล็กตรอนเรียกว่า อาโนด (Anode) โดยปกติจะมีรูปร่างเป็นแผ่นโลหะธรรมดา บางทีจะเรียกว่า เพลท (Plate) การไหลของกระแสไฟฟ้าของหลอดไดโอดเป็นแบบไม่เป็นเชิงเส้น (Non-linear current) กล่าวคือ เมื่อป้อนศักย์ไฟฟ้าบวกให้กับขั้วอาโนดและศักย์ไฟฟ้าลบให้กับขั้วคาโธดจะทำให้เกิดกระแสไฟฟ้าไหลดังที่ได้อธิบายผ่านมา แต่เมื่อป้อนศักย์ไฟฟ้ากลับทางคือ ป้อนศักย์ไฟฟ้าบวกให้กับคาโธดและป้อนศักย์ไฟฟ้าลบให้กับอาโนดจะทำให้กระแสไฟฟ้าไม่สามารถไหลได้ ซึ่งเป็นผลมาจากอิเล็กตรอนถูกผลักด้วยผลของสนามไฟฟ้านั้นเอง ซึ่งคุณสมบัติข้อนีจึงทำให้สามารถนำหลอดไดโอดไปใช้เป็นอุปกรณ์เรียงกระแส (rectifier) ได้ ต่อมาได้มีการพัฒนาหลอดไดโอดโดยใส่ขั้วโลหะตาข่ายระหว่างขั้วอาโนดและขั้วคาโธด เรียกว่า กริด (Grid) ซึ่งจะมีรูปร่างเป็นตาข่าย เป็นลวดเส้นเล็กๆ พันอยู่รอบๆหลอดสุญญากาศ บางชนิดอาจจะไม่มีขั้วชนิดนี้ หรือจะมีเพียงขั้วเดียว หรืออาจจะมี 2-3 ขั้วขึ้นไป จะทำหน้าที่เป็นส่วนควบคุมปริมาณกระแสให้ไหลมากน้อยได้ตามศักย์ไฟฟ้าที่ป้อนให้กับขั้วกริด อุปกรณ์ที่มีขั้วโลหะ 3 ขั้วนี้เรียกว่า หลอดไตรโอด (Triode) ทำสามารถใช้ทำเป็นเครื่องส่งวิทยุได้.
ดู ทรานซิสเตอร์และหลอดสุญญากาศ
อุปกรณ์
อุปกรณ์ (equipment) อาจหมายถึง.
ตัวขยายสัญญาณ
ตัวอย่างวงจรขยายกำลังสัญญาณ ตัวขยายสัญญาณ หรือ วงจรขยายสัญญาณ (Electronic Amplifier or Amplifier) หรือเรียกสั้นๆว่า Amp เป็นอุปกรณ์หรือวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่ช่วยเพิ่มขนาดหรือกำลังของสัญญาณ โดยการใช้พลังงานจากแหล่งจ่ายไฟและการควบคุมสัญญาณเอาต์พุทให้มีรูปร่างเหมือนสัญญาณอินพุท แต่มีขนาดใหญ่กว่า ในความหมายนี้ ตัวขยายสัญญาณทำการกล้ำสัญญาณ (modulate) เอาต์พุทของแหล่งจ่ายไฟ ตัวขยายอิเล็กทรอนิกส์มี 4 ประเภทพื้นฐานได้แก่ ตัวขยายแรงดัน, ตัวขยายกระแส, ตัวขยาย transconductance และตัวขยาย transresistance ความแตกต่างอยู่ที่สัญญาณเอาต์พุตจะแทนความหมายของสัญญาณอินพุทแบบเชิงเส้นหรือแบบเอ็กซ์โปเนนเชียล ตัวขยายสัญญาณยังสามารถถูกแยกประเภทโดยการแทนที่ทางกายภาพในขบวนของสัญญาณด้วย ในบทความนี้ ตัวขยายสัญญาณหมายถึงอุปกรณ์เช่นทรานซิสเตอร์, หลอดสูญญากาศ ฯลฯ วงจรขยายสัญญาณหมายถึงอุปกรณ์ขยายสัญญาณหรือชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์อื่นๆที่ขยายสัญญาณ.
ดู ทรานซิสเตอร์และตัวขยายสัญญาณ
ตัวต้านทาน
ตัวต้านทานแบบมีขาออกทางปลายแบบหนึ่ง ตัวต้านทาน หรือ รีซิสเตอร์ (resistor) เป็นอุปกรณ์ไฟฟ้าชนิดหนึ่งที่มีคุณสมบัติในการต้านการไหลผ่านของกระแสไฟฟ้า ทำด้วยลวดต้านทานหรือถ่านคาร์บอน เป็นต้น นั่นคือ ถ้าอุปกรณ์นั้นมีความต้านทานมาก กระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่านจะน้อยลง เป็นอุปกรณ์ไฟฟ้าชนิดพาสซีฟสองขั้ว ที่สร้างความต่างศักย์ไฟฟ้าคร่อมขั้วทั้งสอง (V) โดยมีสัดส่วนมากน้อยตามปริมาณกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่าน (I) อัตราส่วนระหว่างความต่างศักย์ และปริมาณกระแสไฟฟ้า ก็คือ ค่าความต้านทานทางไฟฟ้า หรือค่าความต้านทานของตัวนำมีหน่วยเป็นโอห์ม (สัญลักษณ์: Ω) เขียนเป็นสมการตามกฏของโอห์ม ดังนี้ ค่าความต้านทานนี้ถูกกำหนดว่าเป็นค่าคงที่สำหรับตัวต้านทานธรรมดาทั่วไปที่ทำงานภายในค่ากำลังงานที่กำหนดของตัวมันเอง ตัวต้านทานทำหน้าที่ลดการไหลของกระแสและในเวลาเดียวกันก็ทำหน้าที่ลดระดับแรงดันไฟฟ้าภายในวงจรทั่วไป Resistors อาจเป็นแบบค่าความต้านทานคงที่ หรือค่าความต้านทานแปรได้ เช่นที่พบใน ตัวต้านทานแปรตามอุณหภูมิ(thermistor), ตัวต้านทานแปรตามแรงดัน(varistor), ตัวหรี่ไฟ(trimmer), ตัวต้านทานแปรตามแสง(photoresistor) และตัวต้านทานปรับด้วยมือ(potentiometer) ตัวต้านทานเป็นชิ้นส่วนธรรมดาของเครือข่ายไฟฟ้าและวงจรอิเล็กทรอนิกส์ และเป็นที่แพร่หลาย ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ตัวต้านทานในทางปฏิบัติจะประกอบด้วยสารประกอบและฟิล์มต่างๆ เช่นเดียวกับ สายไฟต้านทาน (สายไฟที่ทำจากโลหะผสมความต้านทานสูง เช่น นิกเกิล-โครเมี่ยม) Resistors ยังถูกนำไปใช้ในวงจรรวม โดยเฉพาะอย่างยิ่งในอุปกรณ์แอนะล็อก และยังสามารถรวมเข้ากับวงจรไฮบริดและวงจรพิมพ์ ฟังก์ชันทางไฟฟ้าของตัวต้านทานจะถูกกำหนดโดยค่าความต้านทานของมัน ตัวต้านทานเชิงพาณิชย์ทั่วไปถูกผลิตในลำดับที่มากกว่าเก้าขั้นของขนาด เมื่อทำการระบุว่าตัวต้านทานจะถูกใช้ในการออกแบบทางอิเล็กทรอนิกส์ ความแม่นยำที่จำเป็นของความต้านทานอาจต้องให้ความสนใจในการสร้างความอดทนของตัวต้านทานตามการใช้งานเฉพาะของมัน นอกจากนี้ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิของความต้านทานยังอาจจะมีความกังวลในการใช้งานบางอย่างที่ต้องการความแม่นยำ ตัวต้านทานในทางปฏิบัติยังถูกระบุถึงว่ามีระดับพลังงานสูงสุดซึ่งจะต้องเกินกว่าการกระจายความร้อนของตัวต้านทานที่คาดว่าจะเกิดขึ้นในวงจรเฉพาะ สิ่งนี้เป็นความกังวลหลักในการใช้งานกับอิเล็กทรอนิกส์กำลัง ตัวต้านทานที่มีอัตรากำลังที่สูงกว่าก็จะมีขนาดที่ใหญ่กว่าและอาจต้องใช้ heat sink ในวงจรไฟฟ้าแรงดันสูง บางครั้งก็ต้องให้ความสนใจกับอัตราแรงดันการทำงานสูงสุดของตัวต้านทาน ถ้าไม่ได้พิจารณาถึงแรงดันไฟฟ้าในการทำงานขั้นต่ำสุดสำหรับตัวต้านทาน ความล้มเหลวอาจก่อให้เกิดการเผาใหม้ของตัวต้านทาน เมื่อกระแสไหลผ่านตัวมัน ตัวต้านทานในทางปฏิบัติมีค่าการเหนี่ยวนำต่ออนุกรมและค่าการเก็บประจุขนาดเล็กขนานอยู่กับมัน ข้อกำหนดเหล่านี้จะมีความสำคัญในการใช้งานความถี่สูง ในตัวขยายสัญญาณเสียงรบกวนต่ำหรือพรีแอมป์ ลักษณะการรบกวนของตัวต้านทานอาจเป็นประเด็น การเหนี่ยวนำที่ไม่ต้องการ, เสียงรบกวนมากเกินไปและค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ เหล่านี้จะขึ้นอยู่กับเทคโนโลยีที่ใช้ ในการผลิตตัวต้านทาน ปกติพวกมันจะไม่ได้ถูกระบุไว้เป็นรายต้วของตัวต้านทานที่ถูกผลิตโดยใช้เทคโนโลยีอย่างใดอย่างหนึ่ง.
ตัวเก็บประจุ
ตัวเก็บประจุ หรือ คาปาซิเตอร์ (capacitor หรือ condenser) เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์อย่างหนึ่ง ทำหน้าที่เก็บพลังงานในรูปสนามไฟฟ้า ที่สร้างขึ้นระหว่างคู่ฉนวน โดยมีค่าประจุไฟฟ้าเท่ากัน แต่มีชนิดของประจุตรงข้ามกัน บ้างเรียกตัวเก็บประจุนี้ว่า คอนเดนเซอร์ (condenser) แต่ส่วนใหญ่เรียกสั้น ๆ ว่า แคป (Cap) เป็นอุปกรณ์พื้นฐานสำคัญในงานอิเล็กทรอนิกส์ และพบได้แทบทุกวงจร มีคุณสมบัติตรงข้ามกับตัวเหนี่ยวนำ จึงมักใช้หักร้างกันหรือทำงานร่วมกันในวงจรต่าง ๆ เป็นหนึ่งในสามชิ้นส่วนวงจรเชิงเส้นแบบพาสซีฟที่ประกอบขึ้นเป็นวงจรไฟฟ้า ในระบบจ่ายไฟฟ้าใช้ตัวเก็บประจุเป็นชุดหลายตัวเพิ่มค่าตัวประกอบกำลัง (Power factor) ให้กับระบบไฟฟ้าที่เรียกว่า แคปแบงค์ (Cap Bank) ตัวเก็บประจุบางชนิดในอนาคตมีความเป็นไปได้สูงที่จะถูกนำมาใช้แทนแบตเตอรี่ เช่น ตัวเก็บประจุยิ่งยวด (Supercapacitor).
ดู ทรานซิสเตอร์และตัวเก็บประจุ
แหล่งจ่ายไฟ
รูปแสดงแหล่งจ่ายไฟแบบหลอดสูญญากาศ แขวนบนแร็ค ปรับได้ ทำงานที่ +/- 1500 volts DC, 0 to 100mA output, สามารถจำกัดกระแสได้ แหล่งจ่ายไฟ (Power supply)เป็นอุปกรณ์ที่จ่ายพลังงานไฟฟ้าให้กับโหลดไฟฟ้.
โวลต์
วลต์ (สัญลักษณ์: V) คือหน่วยอนุพันธ์ในระบบเอสไอของความต่างศักย์ไฟฟ้า ปริมาณที่กำกับด้วยหน่วยโวลต์นั้นคือผลการวัดความเข้มของแหล่งจ่ายไฟฟ้าในแง่ที่ว่าจะสร้างพลังงานได้เท่าใดที่ระดับกระแสค่าหนึ่ง ๆ โวลต์ซึ่งเป็นชื่อของหน่วยนี้ตั้งขึ้นเพื่อเป็นเกียรติให้แก่ อาเลสซันโดร วอลตา (พ.ศ.
ไฟฟ้า
ฟฟ้า (ήλεκτρον; electricity) เป็นชุดของปรากฏการณ์ทางฟิสิกส์ มีที่มาจากภาษากรีกซึ่งในสมัยนั้นหมายถึงผลจากสิ่งที่เกิดขึ้นตามธรรมชาติเนื่องจากการปรากฏตัวและการไหลของประจุไฟฟ้า เช่นฟ้าผ่า, ไฟฟ้าสถิต, การเหนี่ยวนำแม่เหล็กไฟฟ้าและกระแสไฟฟ้า นอกจากนี้ ไฟฟ้ายังทำให้เกิดการผลิตและการรับคลื่นแม่เหล็กไฟฟ้า เช่นคลื่นวิทยุ พูดถึงไฟฟ้า ประจุจะผลิตสนามแม่เหล็กไฟฟ้าซึ่งจะกระทำกับประจุอื่น ๆ ไฟฟ้าเกิดขึ้นได้เนื่องจากหลายชนิดของฟิสิกซ์ดังต่อไปนี้.
ไดโอด
อดชนิดต่าง ๆ ไดโอด (diode) เป็นชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ชนิดสองขั้วคือขั้ว p และขั้ว n ที่ออกแบบและควบคุมทิศทางการไหลของประจุไฟฟ้า มันจะยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลในทิศทางเดียว และกั้นการไหลในทิศทางตรงกันข้าม เมื่อกล่าวถึงไดโอด มักจะหมายถึงไดโอดที่ทำมาจากสารกึ่งตัวนำ (Semiconductor diode) ซึ่งก็คือผลึกของสารกึ่งตัวนำที่ต่อกันได้ขั้วทางไฟฟ้าสองขั้ว ส่วนไดโอดแบบหลอดสูญญากาศ (Vacuum tube diode) ถูกใช้เฉพาะทางในเทคโนโลยีไฟฟ้าแรงสูงบางประเภท เป็นหลอดสูญญากาศที่ประกอบด้วยขั้วอิเล็ดโทรดสองขั้ว ซึ่งจะคือแผ่นตัวนำ (plate) และแคโทด (cathode) ส่วนใหญ่เราจะใช้ไดโอดในการยอมให้กระแสไปในทิศทางเดียว โดยยอมให้กระแสไฟในทางใดทางหนึ่ง ส่วนกระแสที่ไหลทิศทางตรงข้ามกันจะถูกกั้น ดังนั้นจึงอาจถือว่าไดโอดเป็นวาล์วตรวจสอบแบบอิเล็กทรอนิกส์อย่างหนึ่ง ซึ่งนับเป็นประโยชน์อย่างมากในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ เช่น ใช้เป็นตัวเรียงกระแสไฟฟ้าในวงจรแหล่งจ่ายไฟ เป็นต้น อย่างไรก็ตามไดโอดมีความสามารถมากกว่าการเป็นอุปกรณ์ที่ใช้เปิด-ปิดกระแสง่าย ๆ ไดโอดมีคุณลักษณะทางไฟฟ้าที่ไม่เป็นเชิงเส้น ดังนั้นมันยังสามารถปรับปรุงโดยการปรับเปลี่ยนโครงสร้างของพวกมันที่เรียกว่ารอยต่อ p-n มันถูกนำไปใช้ประโยชน์ในงานที่มีวัตถุประสงค์พิเศษ นั่นทำให้ไดโอดมีรูปแบบการทำงานได้หลากหลายรูปแบบ ยกตัวอย่างเช่น ซีเนอร์ไดโอด เป็นไดโอดชนิดพิเศษที่ทำหน้าที่รักษาระดับแรงดันให้คงที่ วาริแอกไดโอดใช้ในการปรับแต่งสัญญาณในเครื่องรับวิทยุและโทรทัศน์ ไดโอดอุโมงค์หรือทันเนลไดโอดใช้ในการสร้างสัญญาณความถี่วิทยุ และไดโอดเปล่งแสงเป็นอุปกรณ์ที่สร้างแสงขึ้น ไดโอดอุโมงค์มีความน่าสนใจตรงที่มันจะมีค่าความต้านทานติดลบ ซึ่งเป็นประโยชน์มากเมื่อใช้ในวงจรบางประเภท ไดโอดตัวแรกเป็นอุปกรณ์หลอดสูญญากาศ โดยไดโอดแบบสารกึ่งตัวนำตัวแรกถูกค้นพบจากการทดสอบความสามารถในการเรียงกระแสของผลึกโดยคาร์ล เฟอร์ดินานด์ บรวน นักฟิสิกส์ชาวเยอรมัน ในปี..
ดูเพิ่มเติม
อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ
อุปกรณ์ไฟฟ้า
- กริ่งไฟฟ้า
- ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ตัวต้านทาน
- ตัวเก็บประจุ
- ทรานซิสเตอร์
- ฟิวส์
- วาริสเตอร์
- หลอดสุญญากาศ
- หลอดไฟฟ้า
- ออด
- เมมริสเตอร์
- เวฟไกด์
หรือที่รู้จักกันในชื่อ Transistor