ความต้านทานและการนำไฟฟ้าและอุปกรณ์ถ่ายเทประจุ

ทางลัด: ความแตกต่างความคล้ายคลึงกันค่าสัมประสิทธิ์การเปรียบเทียบ Jaccardการอ้างอิง

ความแตกต่างระหว่าง ความต้านทานและการนำไฟฟ้าและอุปกรณ์ถ่ายเทประจุ

ความต้านทานและการนำไฟฟ้า vs. อุปกรณ์ถ่ายเทประจุ

วามต้านทานไฟฟ้า (electrical resistance) ของ ตัวนำไฟฟ้า เป็นตัวชี้วัดของความยากลำบากในการที่จะผ่าน กระแสไฟฟ้า เข้าไปในตัวนำนั้น ปริมาณที่ตรงกันข้ามคือ การนำไฟฟ้า (electrical conductance) เป็นความสะดวกที่ยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่าน ความต้านทานไฟฟ้าเปรียบเหมือน แรงเสียดทาน ทางเครื่องกล หน่วย SI ของความต้านทานไฟฟ้าจะเป็น โอห์ม สัญญลักษณ์ Ω ในขณะที่การนำไฟฟ้าไฟฟ้ามีหน่วยเป็น ซีเมนส์ (S) วัตถุที่มีหน้าตัดสม่ำเสมอจะมีความต้านทานเป็นสัดส่วนกับ สภาพต้านทาน และ ความยาวของมัน และแปรผกผันกับพื้นที่หน้าตัดของมัน วัสดุทุกชนิดจะแสดงความต้านทานเสมอยกเว้น ตัวนำยิ่งยวด (superconductor) ซึ่งมีความต้านทานของศูนย์ ความต้านทาน (R) ของวัตถุจะถูกกำหนดให้เป็นอัตราส่วนของ แรงดันไฟฟ้า ตกคล่อมตัวมัน (V) ต่อกระแสที่ไหลผ่านตัวมัน (I) ในขณะที่การนำไฟฟ้า (G) เป็นตรงกันข้าม ตามสมการต่อไปนี้: สำหรับวัสดุและเงื่อนไขที่หลากหลาย V และ I จะเป็นสัดส่วนโดยตรงซึ่งกันและกัน ดังนั้น R และ G จึงเป็นค่า คงที่ (แม้ว่าพวกมันยังขึ้นอยู่กับปัจจัยอื่น ๆ ก็ตาม เช่นอุณหภูมิหรือความเครียด) สัดส่วนนี้จะเรียกว่า กฎของโอห์ม และวัสดุที่เป็นไปตามกฏนี้จะเรียกว่า วัสดุ โอห์ม (ohmic material) ในกรณีอื่น ๆ เช่น ไดโอด หรือ แบตเตอรี่ V และ I จะ ไม่ได้ เป็นสัดส่วนโดยตรงกัน อัตราส่วน V/I บางครั้งก็ยังคงเป็นประโยชน์และถูกเรียกว่า "ความต้านทานสถิตย์" ในสถานการณ์อื่น ๆ อนุพันธ์ \frac \,\! อาจจะมีประโยชน์มากที่สุด ค่านี้จะเรียกว่า "ความต้านทานดิฟเฟอเรนเชียล" (differential resistance). CCD ที่พัฒนาขึ้นเป็นพิเศษเพื่อจับภาพในช่วงคลื่นอัลตราไวโอเลต อุปกรณ์ถ่ายเทประจุ (charge-coupled device) หรือ CCD เป็นอุปกรณ์สำหรับการเคลื่อนย้ายประจุไฟฟ้าจากภายในเครื่องไปยังพื้นที่ที่ประจุสามารถถูกจัดการหรือแก้ไขดัดแปลง ตัวอย่างเช่นการแปลงให้เป็นค่าดิจิทัล งานนี้จะทำได้โดย"การเลื่อน" (shifting)สัญญาณไปตามขั้นตอนต่างๆภายในอุปกรณ์ ทีละหนึ่งขั้นตอน CCDs จะเคลื่อนย้ายประจุระหว่างถังเก็บประจุในอุปกรณ์ ด้วยตัวเลื่อนที่ยอมให้มีการถ่ายโอนประจุระหว่างแต่ละถัง CCD เป็นชิ้นส่วนสำคัญของเทคโนโลยีในการถ่ายภาพดิจิทัล ในเซนเซอร์รูปภาพของ CCD, พิกเซลจะถูกแสดงความหมายโดยตัวเก็บประจุ MOS แบบ p-doped ตัวเก็บประจุเหล่านี้จะถูกไบอัสเหนือค่าเกณฑ์สำหรับการผกผันเมื่อการควบรวมภาพเริ่มต้นขึ้น ช่วยให้การแปลงของโฟตอนที่เข้ามาให้เป็นประจุอิเล็กตรอนที่รอยต่อระหว่างเซมิคอนดักเตอร์กับออกไซด์(semiconductor-oxide interface); จากนั้น CCD จะถูกใช้อ่านประจุเหล่านี้ แม้ว่า CCDs ไม่ได้เป็นเทคโนโลยีเดียวที่จะทำการตรวจจับแสง เซนเซอร์รูปภาพของ CCD ถูกนำมาใช้กันอย่างแพร่หลายในระดับการใช้งานมืออาชีพ, การแพทย์ และวิทยาศาสตร์ ในที่ซึ่งข้อมูลภาพคุณภาพสูงเป็นที่ต้องการ ในการใช้งานที่มีความต้องการคุณภาพน้อยลงเช่นกล้องดิจิทัลของมือสมัครเล่น และมืออาชีพ เซนเซอร์พิกเซลตอบสนอง(active pixel sensors)แบบ CMOS จะถูกนำมาใช้โดยทั่วไป; CCDs ได้เปรียบด้านคุณภาพอย่างสูงที่ใช้ได้ดีในช่วงต้น ข้อได้เปรียบนั้นได้ถูกทำให้แคบลงเมื่อเวลาผ่านไป.